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Expériences :

Croissance localisée et caractérisation des nanofils de GaN

CNRS de 06/2014 - 09/2014

Description : L’objectif de ce stage est de participer à la croissance de nanofils GaN par épitaxie en phase vapeur aux organométalliques (EPVOM). Afin de contrôler la position des fils on utilisera un substrat structuré avant croissance par lithographie électronique. Il s’agira d’améliorer le rapport hauteur sur volume des fils pour ensuite pouvoir développer la fabrication d’hétérostructures axiales ou radiales (structure « cœur-coquille ») AlGaN/GaN.
La qualité cristalline des échantillons sera évaluée par le biais de mesures de diffraction X haute résolution et de microscopie électronique à balayage. L’étude de leurs propriétés optiques permettra de révéler le potentiel de ces nanostructures et s’effectuera par des mesures de cathodoluminescence et de microphotoluminescence.

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Formations :

Ingénieur

Ecole : ENSIL

Dates : 09/2012 - 09/2015

Description : Traitements de surface par voie humide (traitements électrolytiques, anodisation, chimiques, voies sèche (PVD, projection thermique, CVD, traitements thermochimiques,..). Métaux, polymères, céramiques, composites et leur caractérisations (diffractions des rayons X, DSC, Microscopie,essais mécaniques,...). Management qualité, sécurité, environnement, droit commercial, privé, public communication, gestion de projets.

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Compétences:

Maîtrise Linguistique

Anglais

Niveau Oral : Courant
Niveau Ecrit : Courant

Francais

Niveau Oral : Courant
Niveau Ecrit : Courant

Chinois

Niveau Oral : Maternelle
Niveau Ecrit : Maternelle